Power Semiconductor Device

이번 단위에서 연결한 내용

Power diode는 전류 방향을 수동으로 정하고, MOSFET과 IGBT는 Gate 신호로 전류를 끊고 잇는다. MOSFET의 저항성 도통 특성과 IGBT의 포화전압 특성을 구분한 뒤, Turn-on과 Turn-off 동안 전압과 전류가 겹치는 Switching trajectory를 보면 소자 선택과 손실 계산이 한 흐름으로 연결된다.

개념 관계 정리

1. Power diode
2. MOSFET
3. IGBT
4. Switching trajectory

기술 앵커

스위칭 1회의 에너지는 E_sw = integral(v_D(t) i_D(t) dt)로 볼 수 있으며, v-i 평면의 궤적이 넓어질수록 한 번의 전환에서 겹침 손실이 커진다.

다시 확인하는 방법

정격전압과 RMS 전류만 보지 않고 Gate 구동전압, dv/dt, di/dt, 역회복 전류까지 같은 스위칭 구간에 표시해 소자별 취약 조건을 점검한다.

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전체 12개 중 1번째 단위입니다. 단위 번호는 회로 간 의존관계에 맞춘 공부 순서이며 당시 강의의 실제 주차를 뜻하지 않는다.