Week 10
MOSFET 동작과 Bias
다이오드에서 단일 트랜지스터 증폭기까지, 내가 회로 동작을 다시 공부하기 좋은 순서로 정리한다.
이번 단위에서 연결한 내용
MOSFET은 VGS가 threshold voltage를 넘어 channel이 생긴 뒤, 작은 VDS에서는 triode 영역의 전압제어 저항처럼 동작한다. VDS가 overdrive를 넘으면 saturation으로 들어가며 body effect는 source와 body 전위차에 따라 threshold를 바꾼다.
개념 관계 정리
- Threshold voltage
- Triode 영역
- Saturation 영역
- Body effect
기술 앵커
장채널 근사에서 saturation 조건은 VDS ≥ VGS − VTH이고, ID ≈ 0.5kn(VGS − VTH)²이다.
다시 확인하는 방법
VGS와 VDS가 주어졌을 때 cutoff·triode·saturation 조건을 먼저 판정하고, source가 올라간 회로에서는 body effect를 반영한 VTH 변화를 검토한다.
과목 전체와 연결하기
전체 12개 중 10번째 단위입니다. 단위 번호는 개념을 이어 보기 위한 공부 순서이며 당시 수업의 실제 주차를 뜻하지 않는다.