Week 01
반도체와 PN Junction
다이오드에서 단일 트랜지스터 증폭기까지, 내가 회로 동작을 다시 공부하기 좋은 순서로 정리한다.
이번 단위에서 연결한 내용
반도체의 전자와 정공 농도는 도핑 종류와 농도로 달라지고, p형과 n형을 맞대면 확산으로 공핍층이 생긴다. 이동한 전하가 만든 전기장은 더 이상의 확산을 막는 내장 전위를 형성한다.
개념 관계 정리
- 전자와 정공
- 도핑
- 공핍층
- 내장 전위
기술 앵커
열평형 PN 접합에서 Vbi = VT ln(NA·ND/ni²)이므로 도핑 농도가 커질수록 내장 전위가 로그 비율로 증가한다.
다시 확인하는 방법
순방향과 역방향 바이어스에서 공핍층 폭과 장벽 높이가 어느 방향으로 변하는지 에너지 밴드 그림에 표시한다.
과목 전체와 연결하기
전체 12개 중 1번째 단위입니다. 단위 번호는 개념을 이어 보기 위한 공부 순서이며 당시 수업의 실제 주차를 뜻하지 않는다.